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得碳化硅者得天下，今日大家聊一聊碳碳复合材料（SiC）
文中试着将碳化硅技术性、商品和销售市场。以便辨识度高些。最先，针对第三代半导体器件，主要是差别于一代、二代来讲，但大部分全是四族原素（碳、硅、锗）以及化学物质：
第一代半导体器件以硅（Si）、锗(Ge)为意味着；第二代半导体器件以氮化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为意味着；第三代半导体器件，现阶段各种生产商跃跃欲试积极主动合理布局的，包含碳碳复合材料（SiC）、氮化镓（GaN）、活性氧化锌（ZnO）、氮化铝（AlN）、金钢石（C）等。
zhaojh@kw.beijing.gov.cn这三代半导体材料，区划规范主要是依照原材料性能参数高矮及产业发展难度系数水平，越重高世世代代，产业发展难度系数越高，原材料特性越出色，包含带隙、导热率、击穿场强等。例如文中要讲的碳碳复合材料（SiC），与第一代半导体器件硅（Si）对比，带隙是硅的3倍、导热率3倍、穿透静电场9倍、饱和状态飘移速率2.7倍。
大家都了解，半导体材料的实质便是“开-关”特点，体现到数据行业便是“0-1”，组成了全部数据全球的基本。第一代半导体材料这般，第三代半导体材料都不列外，要不以便完成数据测算的01，要不以便完成物理学全球的电源开关。碳碳复合材料（SiC）的出色半导体材料特性，便是以便在独特行业完成开-关特点，例如耐热、髙压，大电流量的高频率功率大的的元器件，例如5G厘米波行业……
实际到碳化硅复合材料（SiC）原材料，因为分子的排序构造不一样，能够 产生一百多种千姿百态的分子结构，较为常见的如α晶体结构构造（2H、4H、6H、15R）和β晶体结构构造（3C-SiC）等。
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